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(최신) 물리전자공학

Kasap, S. O (Safa O.)

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자료유형단행본
서명/저자사항(최신) 물리전자공학 / S. O. Kasap 저 ; 박정호 [외]역.
개인저자Kasap, S. O.(Safa O.)
박정호
이상렬1963-
발행사항서울 : 진영사, 2000
형태사항771 p. : 삽도 ; 26 cm
원서명Principles of electrical engineering materials and devices
연관저록Principles of electronic materials and devices Kasap, S. O. (Safa O.) 2nd ed Boston : McGraw-Hill, c2002 0072393424
ISBN8984540013
일반주기 공역자: 이상렬 [외]
부록: A. Major symbols and abbreviations. B. Constants and useful information. C. Elements to uranium
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언어한국어

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No. 등록번호 청구기호 소장처 도서상태 반납예정일 예약 매체정보
1 00011340319 621.3 000그 [신촌]학술정보원/과학기술자료실(중도4층)/ 대출가능
2 00011340320 621.3 000그 =2 [신촌]학술정보원/과학기술자료실(중도4층)/ 대출중 2021-05-10

목차

목차 일부

[한글] 목차
제1장 기초적 재료공학 개념 = 1
 1.1 원자구조(原子構造) = 1
 1.2 결합과 고체의 형태 = 4
  1.2.1 분자와 일반적 결합 법칙 = 4
  1.2.2 공유결합 고체 : 다이아몬드 = 6
  1.2.3 금속결합 : 구리 = 8
  1.2.4 이온결합 고체 : 소금 = 10
  1.2.5 이차적 결합 = 12
  1.2.6 혼합...

목차 전체

[한글] 목차
제1장 기초적 재료공학 개념 = 1
 1.1 원자구조(原子構造) = 1
 1.2 결합과 고체의 형태 = 4
  1.2.1 분자와 일반적 결합 법칙 = 4
  1.2.2 공유결합 고체 : 다이아몬드 = 6
  1.2.3 금속결합 : 구리 = 8
  1.2.4 이온결합 고체 : 소금 = 10
  1.2.5 이차적 결합 = 12
  1.2.6 혼합된 결합 = 18
 1.3 활동적 분자이론 = 20
  1.3.1 미세한 운동에너지와 온도 = 20
  1.3.2 분자 속도와 에너지 분포 = 28
 1.4 열, 열적 요동과 잡음(雜音) = 32
 1.5 열적으로 활성화되는 과정 = 38
 1.6 결정의 상태 = 42
  1.6.1 결정의 형태 = 42
  1.6.2 Bravais 격자 = 50
  1.6.3 밀러지수(Miller index) : 결정 방향과 면 = 52
  1.6.4 동소체와 탄소의 삼상 = 56
 1.7 결정결함과 결정의 중요성 = 59
  1.7.1 점결함 : 공공과 불순물 = 59
  1.7.2 선결함 : 도상전위(edge dislocation)와 나사 전위(screw dislocation) = 62
  1.7.3 평면 결함 : 결정립계 = 64
  1.7.4 결정면과 표면특성 = 66
  1.7.5 정수비(Stoichiometry), 비정수비(Nonstoichiometry), 그리고 결함 구조 = 69
 1.8 단결정 쵸크랄스키(czochralski) 성장 = 70
 1.9 유리와 비정질 반도체 = 72
  1.9.1 유리와 비정질 고체 = 72
  1.9.2 결정체와 비정질 실리콘 = 76
 1.10 고용체와 2상(Two-phase)고체 = 76
  1.10.1 이질동형 고용체 : 이질동형 합금 = 78
  1.10.2 상태도 : Cu-Ni와 기타 이질동형 합금들 = 80
  1.10.3 대정련과 순수 실리콘 결정 = 84
  1.10.4 이원 공정 상태도와 Pb-Sn 땜납 = 87
 중요 용어 = 93
 연습 문제 = 98
제2장 고체에서 전기전도와 열전도 = 107
 2.1 고전적 이론 : Drude 모델 = 107
  2.1.1 금속과 전자에 의한 전도 = 107
 2.2. 저항률의 온도 의존성 : 이상적인 순수금속 = 116
 2.3 Matthiessen의 법칙 = 119
  2.3.1 Matthiessen의 법칙과 저항률의 온도계수 = 119
  2.3.2 고용체와 Nordheim의 법칙 = 130
 2.4 혼합 법칙과 전기적 스위치 = 135
  2.4.1 이종 혼합체 = 135
  2.4.2 2상 합금(Ag-Ni) 저항률과 전기적 접촉 = 140
 2.5 표피효과 : 도체의 HF 저항 = 142
 2.6 Hall 효과와 Hall 소자 = 146
 2.7 열전도도(Thermal conductivity) = 152
 2.8 얇은 금속막과 집적회로의 상호연결 = 156
 중요 용어 = 158
 연습 문제 = 161
제3장 기초 양자 물리학 = 171
 3.1 광자(photon) = 171
  3.1.1 광전효과(photoelectric effect) = 174
  3.1.2 Compton 산란 = 179
  3.1.3 흑체 복사 = 182
 3.2 파동으로서의 전자 = 185
  3.2.1 De Broglie 관계식 = 185
  3.2.2 시간 독립형 Schr<TEX>$$\ddot o$$</TEX>dinger 방정식 = 188
 3.3 무한 포텐셜 우물 : 갇혀 있는 전자 = 193
 3.4 Heisenberg의 불확정성 원리 = 200
 3.5 터널링 현상 : 양자 누설 (quantum leak) = 203
 3.6 전위 상자 : 세 개의 양자수 = 211
 3.7 수소 형태의 원자 = 214
  3.7.1 전자 파동함수 = 214
  3.7.2 양자화된 전자 에너지 = 220
  3.7.3 궤도 각 운동량 및 공간의 양자화 = 224
  3.7.4 전자 스핀 및 고유 각 운동량 S = 230
  3.7.5 총 각 운동량 J = 234
 3.8 헬륨 원자 및 주기율표 = 236
  3.8.1 헬륨 원자 및 Pauli의 배타원리 = 236
  3.8.2 Hund의 규칙 = 239
 3.9 유도 방출 및 레이저 = 242
  3.9.1 유도 방출 및 광자 증폭 = 242
  3.9.2 헬륨-네온 레이저 = 245
  3.9.3 레이저 출력 스펙트럼 = 248
 3.10 시간 의존형 Schr<TEX>$$\ddot o$$<TEX>dinger 방정식 = 251
 중요 용어 = 253
 연습 문제 = 258
제4장 고체의 결합과 밴드 이론 및 통계 역학 = 263
 4.1 수소분자 : 결합(bonding)의 분자 궤도 이론 = 263
 4.2 고체의 밴드 이론 = 269
 4.3 반도체 = 279
 4.4 전자 유효 질량 = 284
 4.5 에너지 밴드 : 상태 밀도 = 286
 4.6 통계 : 입자들의 모임 = 293
  4.6.1 Boltzmann 고전 통계 = 295
  4.6.2 Fermi-Dirac 통계 = 297
 4.7 금속의 현대적 이론 = 312
 4.8 Fermi 에너지의 의미 = 312
  4.8.1 금속-금속 접촉 : 접촉 전위 = 316
  4.8.2 Seebeck 효과와 열전대 = 321
 4.9 열전자 방출과 진공관 소자 = 332
  4.9.1 열전자 방출 : Richardson-Dushman 방정식 = 334
  4.9.2 전계 도움 방출 : Schottky 효과 = 341
 4.10 금속의 밴드 이론 : 결정 구조에서의 전자의 회절 = 342
 중요 용어 = 342
 연습 문제 = 344
제5장 반도체 = 341
 5.1 진성 반도체 = 342
  5.1.1 실리콘 결정과 에너지 밴드 다이아그램 = 342
  5.1.2 전자와 정공 = 344
  5.1.3 반도체의 전도 = 347
  5.1.4 전자와 정공의 농도 = 349
 5.2 불순물 반도체 = 358
  5.2.1 n형 도핑(doping) = 358
  5.2.2 p형 도핑(doping) = 361
  5.2.3 보상 도우핑(compensation doping) = 363
 5.3 전도도의 온도 의존성 = 369
  5.3.1 운반자 농도의 온도 의존성 = 369
  5.3.2 유동 이동도(drift mobility) : 온도와 불순물에 대한 의존성 = 375
  5.3.3 전도도의 온도 의존성 = 379
  5.3.4 축퇴와 비축퇴 반도체 = 381
 5.4 재결합과 소수 운반자 주입 = 383
  5.4.1 직접 재결합과 간접 재결합 = 383
  5.4.2 소수 운반자 수명 = 386
 5.5 확산(diffusion)과 전도(concuction) 방정식 그리고 불규칙 운동(random motion) = 394
 5.6 정상상태 확산과 연속 방정식(steady state diffusion and the continuity equation) = 401
 5.7 광학적 흡수(optical absorption) = 405
 5.8 발광(luminescence) = 409
 5.9 Schottky 접합(Shottky Junction) = 412
  5.9.1 Schottky 다이오드 = 412
  5.9.2 Schottky 접합 태양전지 = 417
 5.10 저항성(ohmic) 접촉과 열전 냉각기(thermoelectric coolers) = 420
 5.11 직접과 간접 밴드갭 반도체 = 426
 5.12 간접 재결합 = 437
 중요 용어 = 437
 연습 문제 = 442
제6장 반도체와 소자 = 453
 6.1 이상적인 pn 접합 = 454
  6.1.1 인가된 전압이 없을 경우 : 개방회로 = 454
  6.1.2 순방향 바이어스 = 460
  6.1.3 역방향 바이어스 = 468
 6.2 pn 접합 밴드 다이아그램 = 474
  6.2.1 개방회로 = 474
  6.2.2 순방향 바이어스와 역방향 바이어스 = 475
 6.3 pn 접합의 공핍층 정전용량 = 479
 6.4 확산(저장) 정전용량과 소신호 모델 = 481
 6.5 역방향 항복 현상 : 사태 항복과 ZENER 항복 = 485
  6.5.1 사태 항복현상 = 486
  6.5.2 Zener 항복현상 = 488
 6.6 바이폴라 트랜지스터(BJT) = 490
  6.6.1 공통 베이스(CB) 직류 특성 = 490
  6.6.2 공통 베이스 증폭기 = 496
  6.6.3 공통 이미터(CE) 직류 특성 = 502
  6.6.4 저주파 소신호 모델 = 504
 6.7 접합 전계효과 트랜지스터(JFET) = 508
  6.7.1 일반적인 원리 = 508
  6.7.2 JFET 증폭기 = 517
 6.8 금속-산화막-반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET) = 521
  6.8.1 전계효과와 반전 = 521
  6.8.2 증가형 MOSFET = 524
  6.8.3 공핍형 MOSFET = 528
  6.8.4 문턱전압 = 532
  6.8.5 이온 주입된 MOS 트랜지스터와 다결정 실리콘 게이트 = 535
 6.9 반도체 소자 제작 = 538
  6.9.1 이산적인 소자와 집적화된 회로 = 538
  6.9.2 단일 기관 IC 제작 : 평면 공정 = 539
 6.10 고주파 소신호 BJT 모델 = 557
 6.11 pn 접합-생성 shot 잡음(noise) = 560
 중요 용어 = 562
 연습 문제 = 557
제7장 유전체와 절연체 = 577
 7.1 물질 분극과 비유전율 = 578
  7.1.1 비유전율 : 정의 = 578
  7.1.2 쌍극자 모멘트와 전자 분극 = 579
  7.1.3 분극 벡터 P = 582
  7.1.4 국부장(Local Field Eloc)과 클로시우스-모소티(Clausius-Mossotti)방정식 = 589
 7.2 전자 분극 : 공유 금속들 = 589
 7.3 분극법 = 592
  7.3.1 이온 분극 = 592
  7.3.2 배향(쌍극자)분극 = 593
  7.3.3 계면 분극 = 596
  7.3.4 총 분극 = 597
 7.4 주파수 의존 : 유전상수 그리고 유전 손실 = 599
 7.5 가우스 법칙과 경계 조건 = 610
 7.6 유전 강도와 절연 파괴 = 617
  7.6.1 유전강도 : 정의 = 617
  7.6.2 절연 파괴와 부분 방전 : 가스 = 617
  7.6.3 절연 파괴 : 액체 = 619
  7.6.4 절연 파괴 : 고체 = 620
 7.7 커패시터 유전 물질 = 628
  7.7.1 전형적인 커패시터 구조 = 628
  7.7.2 유전체 : 비교 = 632
 7.8 압전성, 강유전성, 초전성 현상학 = 635
  7.8.1 압전성 = 635
  7.8.2 압전성 ; 석영 발진기와 필터 = 641
  7.8.3 강유전성과 초전성 결정 = 645
 7.9 전기적 변위와 탈분극(depolarization) 전계 = 651
 중요 용어 = 656
 연습 문제 = 660
제8장 자기특성과 초전도 = 671
 8.1 물질의 자화 = 671
  8.1.1 자기 쌍극자 모멘트 = 671
  8.1.2 원자 자기 모멘트 = 673
  8.1.3 자화 벡터 M = 675
  8.1.4 자화 자계 또는 자계강도, H = 678
  8.1.5 투자율과 자화율 = 679
 8.2 자기 물질 분류 = 684
  8.2.1 반자성체 = 685
  8.2.2 상자성체 = 686
  8.2.3 강자성체 = 687
  8.2.4 반강자성체 = 687
  8.2.5 페리자성체 = 688
 8.3 강자성의 기원과 교환 작용 = 688
 8.4 포화 자화와 Qurie 온도 = 692
 8.5 자구 : 강자성 물질 = 693
  8.5.1 자구 = 693
  8.5.2 자기 결정 이방성 = 696
  8.5.3 자구 장벽 = 697
  8.5.4 자왜 현상 = 698
  8.5.5 자구장벽 운동 = 699
  8.5.6 다결정성 물질과 M대 H 거동 = 700
  8.5.7 반자화(Demagetization) = 705
 8.6 연질, 경질 자기 물질 = 707
  8.6.1 정의 = 707
  8.6.2 초기와 최대 투자율(Permeability) = 708
 8.7 연질 자기 물질 : 예와 사용 = 709
 8.8 강자성체 : 실례와 사용 = 712
 8.9 초전도체 = 718
  8.9.1 무저항과 Meissner 효과 = 718
  8.9.2 제1형과 제2형 초전도체 = 722
  8.9.3 임계 전류 밀도 = 725
 8.10 초전도체의 기원 = 728
 8.11 자기 기록 물질 = 730
 8.12 조셉슨 효과와 자속 양자화 = 736
 중요 용어 = 739
 연습 문제 = 744
부록 = 753
찾아보기 = 761

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